Із-за пошкодження системи дозування рідкого азоту компанія Micron Technology, Тайвань зупинила виробничу лінію Fab-2 з виготовлення DRAM. Чому ця новина така важлива?
Річ у тому, що завод забезпечував 5,5% світового виробництва DRAM (близько 60 000 випусків пластин в місяць) до його закриття. Оскільки цей об’єкт виходить з ладу, це поза сумнівом вплине на баланс попиту і пропозиції. Насамперед зростуть ціни на DRAM. Далі, через дефіцит комплектуючих будуть відкладені дати випуску багатьох продуктів, зокрема, iPhone 8. Аналітики передбачають, що флагман з’явиться не раніше жовтня-листопада 2017 року.
За оцінками аналітиків, Apple купує близько 18% світової пропозиції чіпів DRAM і NAND, оскільки випускає більш ніж 200 мільйонів iPhone в рік.
Всупереч труднощам, компанія Micron планує знову запустити лінію Fab-2 та працювати на повну потужність, і запевнює, що час простою буде зведений до мінімуму. Проте джерело повідомляє, що “відновлення виробничих потужностей буде трудомістким завданням”. Якщо проаналізувати спотові ціни на DRAM, то, наприклад, в TrendForce спостерігалося деяке незначне збільшення. Ціни вже ростуть із-за обмежень пропозиції, випереджаючи цей інцидент.
А у цей час конкуренти Apple скуповують усі DRAM і NAND, які є в наявності. Розуміючи, що випуск нового iPhone створить дефіцит комплектуючих, вони намагаються придбати їх раніше, ніж це зробить Apple. Яблучну компанію нерідко звинувачують у тому, що з її вини зриваються плани постачань у її конкурентів. Так було і в минулих роках, коли із-за випуску iPhone виникав дефіцит дисплеїв, процесорів та датчиків сканування.
Ситуація повинна покращитися в 2018 році, коли SK Hynix та Samsung запустять нові заводи з виготовлення чіпів як оперативної, так і енергонезалежної пам’яті.
DRAM (англ. динамічна пам’ять з довільним доступом) – тип комп’ютерної пам’яті, що відрізняється використанням напівпровідникових матеріалів, енергозалежність і доступ до даних, що зберігаються в довільних елементах пам’яті.
Флеш-пам’ять NAND – це тип енергонезалежної технології зберігання, що не вимагає живлення для збереження даних. Важливою метою розробки флеш-накопичувачів NAND було зменшення витрат на біт і збільшення максимальної ємності чіпа, щоб флеш-пам’ять могла конкурувати з магнітними накопичувачами, такими як жорсткі диски.
Якщо ви знайшли помилку, будь ласка, виділіть фрагмент тексту та натисніть Ctrl+Enter.
