Из-за повреждения системы дозирования жидкого азота компания Micron Technology, Тайвань остановила производственную линию Fab-2 по изготовлению DRAM. Почему эта новость такая важная?
Дело в том, что завод обеспечивал 5,5% мирового производства DRAM (около 60 000 выпусков пластин в месяц) до его закрытия. Поскольку этот об’объект выходит из строя, это несомненно повлияет на баланс спроса и предложения. Прежде всего вырастут цены на DRAM. Далее, через дефіцит комплектуючих будуть відкладені дати випуску багатьох продуктів, в частности, iPhone 8. Аналитики предсказывают, флагман с’появится не раньше октября-ноября 2017 года.
По оценкам аналитиков, Apple покупает около 18% мирового предложения чипов DRAM и NAND, поскольку выпускает более чем 200 миллионов iPhone в год.
Вопреки трудностям, компания Micron планирует вновь запустить линию Fab-2 и работать на полную мощность, и заверяет, что время простоя будет сведено к минимуму. Однако источник сообщает, что “восстановление производственных мощностей будет трудоемкой задачей”. Если проанализировать спотовые цены на DRAM, то, например, в TrendForce наблюдалось некоторое незначительное увеличение. Цены уже растут из-за ограничений предложения, опережая этот инцидент.
А в это время конкуренты Apple скупают все DRAM и NAND, которые есть в наличии. Понимая, что выпуск нового iPhone создаст дефицит комплектующих, они пытаются купить их раньше, чем это сделает Apple. Яблочную компанию нередко обвиняют в том, что по его вине срываются планы поставок у ее конкурентов. Так було і в минулих роках, когда из-за выпуска iPhone возникал дефицит дисплеев, процессоров и датчиков сканирования.
Ситуация должна улучшиться в 2018 году, когда SK Hynix и Samsung запустят новые заводы по изготовлению чипов как оперативной, так и энергонезависимой пам’для.
DRAM (англ. динамічна пам’ять з довільним доступом) – тип комп’компьютерной пам’для, что отличается использованием полупроводниковых материалов, энергозависимость и доступ к данным, что хранятся в произвольных элементах пам’для.
Флэш-пам’ять NAND – это тип энергонезависимой технологии хранения, не требует питания для сохранения данных. Важной целью разработки флеш-накопителей NAND было уменьшение расходов на бит и увеличение максимальной емкости чипа, флэш-пам’ять могла конкурировать с магнитными накопителями, такими как жесткие диски.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
